鹽霧試驗(yàn)箱--上海荷效壹科技有限公司

鹽霧腐蝕試驗(yàn)箱通過查核對(duì)材料及其防護(hù)層的鹽霧腐蝕的才能，以及相似防護(hù)層的工藝質(zhì)量比較，一起可查核某些產(chǎn)品抗鹽霧腐蝕的才能;該產(chǎn)品適用于零部件、電子元件、金屬材料的防護(hù)層以及工業(yè)產(chǎn)品的鹽霧腐蝕試驗(yàn)。

鹽霧試驗(yàn)?箱--上海荷效壹科技有限公司

箱體結(jié)構(gòu)

全體模壓經(jīng)高溫焊接而成、耐腐蝕、易清潔、無泄露現(xiàn)象。

塔式噴霧系統(tǒng)，并裝有鹽液過濾系統(tǒng)，無結(jié)晶噴嘴，鹽霧分布均勻，沉降量安閑調(diào)整。

箱蓋選用通明材料可清楚看到箱內(nèi)檢驗(yàn)物品和噴霧狀況。

箱蓋和箱體之間選用水密封結(jié)構(gòu)，無鹽霧溢出。

線路控制板及其它元?dú)饧潭ㄔ诒阌跈z查和保護(hù)的方位，選用門鎖敞開式邊蓋門，不只美麗，并且便當(dāng)保護(hù)。

內(nèi)部結(jié)構(gòu)

1、噴霧設(shè)備:塔式噴霧器，內(nèi)藏玻璃噴頭，噴霧由塔管引導(dǎo)再經(jīng)錐型松散，均勻松散后充滿到整個(gè)試驗(yàn)室內(nèi)部;

2、噴霧量大小調(diào)度:調(diào)高噴塔上的錐形松散器噴霧量增加，調(diào)低則噴霧量減少;

3、收集器:噴嘴所噴出的細(xì)霧，以安閑落體方法沉降，內(nèi)置一個(gè)或數(shù)個(gè)表面積80cm2的漏斗杯收集鹽霧，凝結(jié)成水后由導(dǎo)管流至箱體外部的計(jì)量筒內(nèi);

4、加熱水槽:水槽附著于試驗(yàn)室底部，用于裝水加溫堅(jiān)持試驗(yàn)室溫度平穩(wěn);

5、置物架:由塑鋼制成，單根承重不超越2kg，如松散放置可接受10kg以內(nèi)的重量，置物架兩旁有二排圓孔，是放置置物棒以垂直面分15度，30度角用。

鹽霧試驗(yàn)?箱--上海荷效壹科技有限公司

外部結(jié)構(gòu)

1、試驗(yàn)箱蓋:房頂式斜角110度透視蓋，可清晰觀察到室內(nèi)試驗(yàn)狀況;

2、隔絕水槽:運(yùn)用水密封箱蓋，防止鹽霧外泄;

3、計(jì)量筒:收集每次試驗(yàn)的噴霧量，每次50ml為高刻度;

4、豐滿空氣桶:置于控制箱底部，選用SUS#304不銹鋼板制成，起到過濾、加溫、加濕的效果，使凈化空氣抵達(dá)豐滿溫度和濕度后至噴嘴噴霧,豐滿用具有自動(dòng)補(bǔ)水功用;

5、調(diào)壓閥:手動(dòng)調(diào)度進(jìn)氣壓力及噴霧壓力。進(jìn)氣壓力控制在0.3mPa;噴霧壓力控制在0.07-0.17mPa。(上述壓力已在出廠前調(diào)整好，一般狀況下用戶勿需再調(diào)度)

6、壓力表:壓力表指針?biāo)@示的壓力是空氣豐滿空氣桶傳達(dá)噴嘴噴霧時(shí)的壓力;

7、補(bǔ)水箱:自動(dòng)或手動(dòng)彌補(bǔ)豐滿桶用水;

8、排霧管:直徑50的PVC硬塑料管，鹽霧試驗(yàn)箱作業(yè)時(shí)瀉出由噴霧造成的壓力，以及箱體內(nèi)多余的水也由此溢出。

設(shè)備質(zhì)料

鹽霧腐蝕試驗(yàn)箱質(zhì)料一般選用PVC、PP兩種。

作為中性鹽霧試驗(yàn)(NSS試驗(yàn))、鹽霧試驗(yàn)(SS試驗(yàn))時(shí)選用PVC增強(qiáng)硬質(zhì)塑料板。

作為醋酸鹽霧試驗(yàn)(ASS試驗(yàn))、銅加快醋天性試驗(yàn)(CASS試驗(yàn))時(shí)選用PP板。

PP板相較于PVC板更耐高溫耐強(qiáng)腐蝕。

控制系統(tǒng)

高精度P.I.D.控溫儀，差錯(cuò)為±0.1℃，富士、RKC、霍尼威爾表(選配)。

接連或周期噴霧任選。

全部電路均裝有斷路器，全部加熱器均帶有電子和機(jī)械過熱保護(hù)設(shè)備。

多重系統(tǒng)保護(hù)，運(yùn)用安全可靠。GB/T2423.17-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka:鹽霧

GB10587-89 鹽霧試驗(yàn)箱技術(shù)條件

天然環(huán)境

人工加快仿照鹽霧環(huán)境試驗(yàn)是運(yùn)用一種具有必定容積空間的試驗(yàn)設(shè)備--鹽霧試驗(yàn)箱，在容積空間內(nèi)用人工的方法，造成鹽霧環(huán)境來對(duì)產(chǎn)品的耐鹽霧腐蝕功能質(zhì)量進(jìn)行老化。與天然環(huán)境比較，鹽霧環(huán)境的氯化物的鹽濃度是一般天然環(huán)境鹽霧含量的幾倍或幾十倍，使腐蝕速度大大提高，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)，得出效果的時(shí)間也大大縮短。

產(chǎn)品符合:CNS、ASTM、JIS、ISO規(guī)范 鹽水噴霧試驗(yàn)?zāi)酸槍?duì)各種質(zhì)料之表面經(jīng) 涂料、電鍍、陽極處理、防銹油等防腐蝕 處理后，檢驗(yàn)其制品之耐蝕性。

選用進(jìn)口智能溫控表面。該表面智能化程度高，多組PID運(yùn)算及模糊控制，快速整定，抵達(dá)更滑潤(rùn)的控制輸出和更高的控制精度。

選用自動(dòng)定時(shí)設(shè)備，試驗(yàn)試驗(yàn)室抵達(dá)預(yù)定溫度后，進(jìn)行自動(dòng)噴霧，抵達(dá)定時(shí)器設(shè)置的時(shí)間自動(dòng)中止。

試驗(yàn)室也可選用通明頂蓋，隨時(shí)監(jiān)督噴霧狀況及試樣作業(yè)狀況。

噴嘴選用不結(jié)晶噴發(fā)嘴，無鹽分堵塞之虞。

有兩層壓力調(diào)整及超溫保護(hù)設(shè)備。

結(jié)構(gòu)特色

1、表里膽均選用環(huán)氧玻璃鋼全體模壓成型，具有重量輕、耐腐蝕、強(qiáng)度高、無滲漏、表面平坦、潤(rùn)滑易清洗等特色。

2、 水密封方法使鹽霧不致外溢，夾套風(fēng)道加熱，使作業(yè)室升溫快，溫度分布均勻。

3、 鹽霧箱頂蓋規(guī)劃成110~112℃頂角，不使箱內(nèi)的冷凝集水直接滴落在試品上。

4、 噴霧方法為塔式噴霧，噴霧塔放置于作業(yè)室的底面中部。噴嘴的材料為石英玻璃燒制而成，噴出的霧料細(xì)微，鹽霧呈天然沉降分布均勻。

5、 設(shè)備的控制系統(tǒng)放置在箱體的右上方，用戶操作便當(dāng)，面板上設(shè)置有電源開關(guān)、排霧開關(guān)、噴霧轉(zhuǎn)換開關(guān)、兩只PID自整定數(shù)顯表面、以及設(shè)備作業(yè)時(shí)間定時(shí)器和間隙噴霧定時(shí)器，在箱體的線路板上還特設(shè)超溫保護(hù)器。

原理

預(yù)備

1、 底部加熱水槽內(nèi)加足蒸餾水或去離子水，以防加熱時(shí)對(duì)箱體干裂老化。

2、 箱體上部四周水密封槽應(yīng)參與適量的蒸餾水或去離子水，不宜過滿，切勿太少，以關(guān)閉箱蓋時(shí)，水和鹽霧均不外溢為佳。

3、 空氣豐滿器(不銹鋼桶)內(nèi)參與蒸餾水或去離子水，在加水前先翻開(如圖1所示)放氣閥和豐滿器加水閥，待水位高度為水位玻璃箱的4/5方位為宜，當(dāng)加到規(guī)定水位時(shí)，有必要關(guān)閉放氣閥門，一起關(guān)閉豐滿器加水閥。因?yàn)殚L(zhǎng)期試驗(yàn)，豐滿器水分蒸騰耗費(fèi)，當(dāng)水位下降至2/5時(shí)應(yīng)及時(shí)補(bǔ)水，防止因缺水導(dǎo)致加熱管空燒，烤壞豐滿器及內(nèi)部加熱門元件。

4、 檢查貯水箱和作業(yè)室內(nèi)噴霧器之間的水管是否連接完好，把制作好的鹽溶液(一般按5%的濃度制作)參與貯水箱內(nèi)。

5、 檢查箱體后部的排霧管排霧狀況;氣管是否墜落、出口處是否通至下水道;管路是否堵塞;防止影響鹽霧的排放。

6、 架好箱體里面的漏斗，檢查漏斗與集霧器之間的連接納是否曉暢完好，千萬不能影響鹽霧沉降量的收集。

7、 檢查氣源與豐滿器的連接納;氣源與噴霧器的連接納是否墜落，防止氣體外溢或供氣缺乏的壞處。

8、 敞開箱蓋，將樣品正確放置在作業(yè)室內(nèi)的樣品架上(離周圍室壁10%)，樣品與樣品之間堅(jiān)持必定距離，使樣品露出的表面積 >98%，再關(guān)上箱蓋。

操作方法

1、將鹽霧試驗(yàn)箱的內(nèi)部零件:塔式噴霧設(shè)備、漏斗、圓棒、V型樣品架等裝好。

2、接上氣源，電源接通后，翻開電源開關(guān)。

3、在壓力桶及箱體內(nèi)加水，兩個(gè)低水位燈滅掉后中止加水，密封槽處加水密封。

4、將純凈水與氯化鈉鹽以1:20的份額配好。將配好的溶液倒入試藥入口處(低鹽水的燈滅掉即可)。

5、全部燈滅掉后咱們能夠翻開操作、噴霧、計(jì)時(shí)開關(guān)，試驗(yàn)結(jié)束后方可翻開除霧開關(guān)。

6、根據(jù)試驗(yàn)要求設(shè)備接連和周期兩種噴霧方法(接連噴霧時(shí)T1、T2表全部 設(shè)0，間歇噴霧時(shí)T1設(shè)置為作業(yè)時(shí)間，T2為休息時(shí)間)。

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